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沈天慧

沈天慧(半导体化学家)

沈天慧,女,1928年出生于浙江嘉善,著名半导体化学家,中国科学院院士。毕业于毕业于上海大同大学。曾任上海交通大学信息存储研究中心研究员、上海交通大学学术委员会委员、上海交通大学材料与化工研究院顾问、微纳科学技术研究院研究员、微纳米加工技术重点实验室学术委员会主任。代表作品有《包头白云鄂博稀土铁矿全分析方法的研究》等。

个人资料

  • 中文名沈天慧
  • 国 籍中国
  • 性 别
  • 出生日期1928年
  • 出生地浙江嘉善魏塘镇
  • 职 业半导体化学家
  • 毕业院校上海大同大学化工系
  • 代表作品《包头白云鄂博稀土铁矿全分析方法的研究》等

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沈天慧详细介绍

  沈天慧的个人简介

  沈天慧,半导体化学分析专家,化学家。1928年生于浙江嘉善魏塘镇,女。1923年4月出生。因病于2011年1月2日凌晨2时55分在上海逝世,享年88岁。

  1949年毕业于上海大同大学化工系。上海交通大学教授。参加了包头稀土铁矿以及钼矿的分析工作。开展了用三氯氢硅法制备超纯硅的研究工作。

  1957年—1959年留学苏联,进修半导体材料。上海交通大学信息存储研究中心研究员、上海交通大学学术委员会委员、上海交通大学材料与化工研究院顾问、微纳米科学技术研究院研究员、微纳米加工技术重点实验室学术委员会主任,曾在中国科学院长春应用化学研究所从事用三氯氢硅法制纯硅的研究工作。

  1966-1986年在陕西临潼县航天工业部771研究所,从事半导体材料及航天用大规模集成电路的研制。1978年成功地用等平面N沟硅栅 MOS&127;工艺,研制出大规模集成电路数种,当时在国内处于领先地位。

  1987年后,从事磁头磁盘及电磁型微马达的研制工作,制出具有国际水平的直径为2mm的微马达。现从事微机电系统研究。

  1980年当选为中国科学院院士(学部委员)。

  沈天慧的科学历程

  沈天慧1987年调入上海交通大学信息中心,现为上海交通大学术委员会委员、中国科学院上海冶金所信息材料国家重点实验室学术委员会主任。70年代研制出大规模集成电路,获中国国家级奖励三项、部委级奖励四项,曾任航天部科技委员会委员、宇航学会第一届理事。在科学的道路上,有时,特别是妇女工作者,可能会遇到不应有的压抑和歧视,但只要有信心,有脚踏实地的忘我工作精神,保守的枷锁和禁锢是打得破的。研究领域:半导体化学、半导体材料及器件,目前从事的研究方向为微器件、微机电系统、微加工工艺,尤其是硅材料的体、表面微加工工艺研究,以及其它薄膜材料及其器件。

  沈天慧在调到上海之前,沈天慧在艰苦的东北、西北工作了35年,把最美好的青春献给了新中国刚刚起步的宇航事业。特别是在陕西临潼呆的那17年,回忆起来,那真是一段骄傲和艰辛并存的创业史。

  1969年,由于当时中国国内形势的需要,汪师俊、沈天慧夫妇所在的研究所从北京迁址三线临潼。大孩子在当地的村小读书,教室里的门窗到处是一个个的窟窿,冬天冷得不行。小一点的孩子没有幼儿园可上,只得关在家里,一生病,两人就轮流利用半天10分钟的休息时间回家照看一下。沈天慧对半导体材料及硅集成电路的研究就在这样艰苦的环境下慢慢起步了。由于研制集成电路对于工作环境有相当高的要求,需要空气干燥、气候恒定,因此,她日复一日、年复一年在一个类似“套子”一样的房子里工作,以至于后来得了严重的类风湿关节炎,手发抖并严重变形,腿发颤,行走不便。

  沈天慧与居里夫人一样,沈天慧的求学之路也充满艰辛。1937年“八·一三”事变后,一把大火把老家浙江嘉善的房子烧得精光。靠奖学金和做家教,她在上海读完了初中和高中,毕业后,因家境困难,沈天慧在上海药厂做了三年工,然后继续在大同大学化工系半工半读,坚持到大学毕业。

  沈天慧的爱人汪师俊是她的大学同学,据他介绍,当时沈天慧既在学校兼文书职务,又当家庭教师,而她的成绩在班里仍属佼佼者,她的秘密就在于利用每一分可利用的时间。

  沈天慧的研究为中国研制成功大规模集成电路打下了基础。16位制的中国国产微机诞生也和她的研究息息相关。1980年,她光荣地当选为中国科学院学部委员,成为中国寥寥科学女星中的一颗。1987年,她作为上海最需要的人才之一被引进到上海交通大学工作,开始了新的研究领域。

  沈天慧的学术成就

  沈天慧教授主要致力于分析化学、半导体化学方面的研究工作,曾参加过硫酸根的测定、包头含稀土铁矿的全分析、钼矿的全分析、地下水的全分析等项科学研究。70年代初开始从事大规模集成电路的研究工作。 曾采用三氯氢硅法制备超纯硅,进行了磁叠片存储器、玻璃半导体记忆材料等研究,取得了成果。参与了等平面N沟硅栅工艺制备MOS大规模集成电路的研究,特别是薄氧化层的研究,为超大规模集成电路的制备作出了贡献。沈天慧从苏联回中国后开展用三氯氢硅法制纯硅的研究工作。 1966--1986年从事半导体材料及大规模集成电路的研制。 1978年成功地用等平面N沟硅栅MOS工艺研制出大规模集成电路数种,当时在中国国内处于领先地位。从事超大规模集成电路工艺——光化学气相淀积氮化硅的研究及其在集成电路上的应用,化学镀镍磷——磁表面保护故铁硼的研究,继续作出贡献。1987年到2009年1月注重磁头磁盘的研制工作。沈天慧从事的磁头磁盘及电磁型微马达的研制工作,能制出具有国际水平的直径为2mm的微马达。

  沈天慧的主要论著

  1、《包头白云鄂博稀土铁矿全分析方法的研究》(与梁树权合作),1954年在中国稀土铁矿会议上学术交流。

  2、《三氯氢硅法制取半导体超纯硅的研究》,1963年在全国半导体材料会议上学术交流。

  3、《化学在集成电路中的作用》,载《化学通报》1984年第10期。

  4、《化学气相淀积技术》(专题技术讲座连载1—22),载《半导体杂志》1985年第6期至1992年第4期。

  5、《超大规模集成电路工艺概况》,载《微电子学与计算机》1986年第3期。

  6、《超大规模集成电路工艺:薄层硅外延》,载《微电子学与计算机》1987年第4期。

  7、《超大规模集成电路工艺:超微细加工》,载《微电子学与计算机》1988年第5期。

  8、《超大规模集成电路工艺:4氏温工艺》,载《微电子学与计算机》1989年第4期。

  9、《超大规模集成电路工艺:金属化工艺》,载《微电子学与计算机》1991年第川期。

  10、《光化学在超大规模集成电路中的应用》,载《真空应用》1986年第3期。

  11、《硬磁盘化学镀非晶体Ni—P衬底的研究》,载《薄膜科学与技术》1992年第2期。

  12、《Nd—Fe—B永磁体化学镀抗腐蚀保护层的研究》,载1992年《中国第三届固体薄膜学术会议论文集》。

  13、《光化学气相淀积氮化硅的工艺研究》,载《微电子学与计算机》1993年第2期。

  14、《光化学气相淀积氮化硅薄膜应用于提高器件的可靠性》,载《微电子学与计算机》1993年第9期。

  15、《用多晶硅吸杂和Si02背封工艺提高硅片质量》,载《微电子学与计算机》1997年第2期。